RIE-PE刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能電池片周邊的P—N結(jié)進(jìn)行刻蝕，使太陽(yáng)能電池片周邊呈開路狀態(tài)。也可用于半導(dǎo)體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

　　刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上,即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

　　反應(yīng)離子刻蝕是以物理濺射為主并兼有化學(xué)反應(yīng)的過程。通過物理濺射實(shí)現(xiàn)縱向刻蝕，同時(shí)應(yīng)用化學(xué)反應(yīng)來達(dá)到所要求的選擇比，從而很好地控制了保真度。

　　在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機(jī)是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開發(fā)的精細(xì)加工技術(shù)，它具有各向異性特點(diǎn)，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節(jié)介紹的硅刻蝕機(jī)就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。它被廣泛應(yīng)用在微處理器（CPU）、存儲(chǔ)（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。